خواص مغناطیسی نانولوله گالیوم آرسناید زیگزاگ (۰,۹) آلایش یافته با عناصر واسطه
Authors
abstract
در این پژوهش خواص الکترونی و مغناطیسی نانولوله زیگزاگ (0,9) gaas خالص و آلایش یافته با 11/11 درصد عناصر واسطه( sc, ti, cr, mn , fe, co, ni) در دو وضعیت دور و نزدیک، با استفاده از رهیافت نظریه تابعی چگالی و تقریب چگالی موضعیlda توسط کد محاسباتی siesta مطالعه شده است. ساختار نواری نشان دهنده این است که نانولوله خالص زیگزاگ (0،9) gaas نیم رسانای غیرمغناطیسی با گاف نواری مستقیم است.آلایش 11/11 درصد آهن و منگنز جایگزین شده در جایگاه های گالیوم در فاز فرومغناطیس در وضعیت دور و کرم در وضعیت نزدیک حالت فرومغناطیس نشان دهنده خاصیت نیم فلزی با 100 درصد قطبش اسپینی است. ساختار منحصر به فرد قطبش اسپینی ترازهای انرژی به هیبریدشدگی بین اوربیتال های تراز d3 عناصر واسطه و اوربیتال p4 آرسنایدهای همسایه آن مربوط می شود. نتایج حاصل از این تحقیق می تواند جهت مطالعات تجربی آینده روی نیم رساناهای مغناطیسی رقیق شده مفید واقع گردد. با توجه به نتایج حاصله از این پژوهش، نانولوله های gaas آلایش یافته با عناصر واسطه، به عنوان کاندیدای مناسب جهت کاربرد در قطعات اسپین ترونیکی پیشنهاد می شود.
similar resources
خواص مغناطیسی نانولوله گالیوم آرسناید زیگزاگ (0,9) آلایش‌یافته با عناصر واسطه
of 3d transition metals (Sc, Ti, Cr, Mn , Fe, Co, Ni) in both far and close situations were studied based on spin polarised density functional theory using the generalized gradient approximation (LDA) with SIESTA code. The electronic structures show that zigzag (0,9) GaAs nanotubes are non-magnetic semiconductors with direct band gap. It was revealed that doping of 11.11 % Fe and Mn concentrati...
full textبررسی خواص الکترونی و مغناطیسی نانولوله های گالیوم آرسناید آلاییده با عناصر واسطه توسط رهیافت نظریه تابعی چگالی
طیف وسیعی از مواد نیمرسانا با آلایش عناصر واسطه (اتمهای مغناطیسی) وجود دارند، که این مواد را عموماً بعنوان نیمرساناهای مغناطیسی رقیق شده dms می شناسند. از سوی دیگر dms های حاصل از ترکیبات نیمرسانای گروه iii-v، بعلت امکان کاربرد آنها در اسپینترونیک، توجه بسیاری از محققین را به خود جلب کرده است. افزایش تقاضا برای وسایل الکترونیکی حالت جامد که کیفیت بهتر و سرعت بیشتری نسبت به نمونه های موجود داشته ...
رشد و مطالعه خواص sno2 آلایش یافته با عناصر واسطه
در این پایان نامه لایه های نازک اکسید قلع خالص و آلایش یافته با درصدهای مختلف کبالت و آهن بر روی زیرلایه های شیشه و سیلیکون به روش سل-ژل سنتز شدند و تاثیر آلایش آهن و کبالت، دمای بازپخت، ضخامت لایه و نوع زیرلایه روی خواص ساختاری، اپتیکی، مغناطیسی و الکتریکی نمونه ها مورد بررسی قرار گرفت. برای مشخصه یابی نمونه ها از اندازه گیری طیف پراش اشعه ایکس، طیف عبور در محدوده 300-1100 نانومتر و ثبت تصاویر...
15 صفحه اولمطالعه تئوری خواص الکترونی و مغناطیسی اکسید قلع (sno2) آلایش یافته با عناصر واسطه
نیمرسانای اکسید قلع با گاف نواری پهن، به دلیل داشتن خواص الکتریکی و اپتیکی مطلوب، توجه زیادی را به خود جلب کرده است. آلایش آن با عناصر واسطه مغناطیسی، منجر به استفاده از آن در صنایع اسپینترونیک می شود. در این پایان نامه خواص ساختاری، الکترونی، مغناطیسی و اپتیکی اکسیدقلع خالص و آلاییده با کبالت، آهن و منگنز، با استفاده از کد محاسباتی wien2k، مورد بررسی قرار گرفته است، برای محاسبات، تقریب های gga...
بررسی خواص ساختاری و مغناطیسی نانو نوارهای گرافنی آلایش یافته با اتم آهن
در این مقاله پایداری، خواص الکترونی و مغناطیسی در نانو نوار گرافنی با لبه زیگزاگ شکل( ZGNR ) آلایش یافته با اتم آهن، با استفاده از نظریه تابعی چگالی ( DFT ) بررسی شده است. بر طبق بررسی های انجام شده و با توجه به مقادیر بدست آمده برای انرژی تشکیل و انرژی پیوندی بهترین مکان برای جایگزینی اتم آهن با اتم کربن، در لبه ZGNR و با اتم کربنی به دست آمد که با هیدروژن پیوند دارد. همچنین اگر اتم های آهن جا...
full textبررسی خواص الکترونی و مغناطیسی نانولوله های گالیوم نیتراید آلاییده با عناصر واسطه توسط رهیافت نظریه تابعی چگالی
نیمرساناهای مغناطیسی رقیق شده موادی هستند که خواص نیمرسانایی و مغناطیسی را به طور همزمان نشان می دهند. این مواد نیمرساناهایی هستند که شامل تعدادی اتم عناصر واسطه اند که جایگزین کاتیون ها شده اند. از بین نیمرساناهای فرومغناطیس گروه iii–v ، نیمرسانای مغناطیسی گالیوم نیتراید رقیق شده با عناصر واسطه (ga,tm)n به خاطر دمای کوری بالای دمای اتاق، بیشترین کاربرد را در صنعت اسپین ترونیک دارد. در این پژ...
My Resources
Save resource for easier access later
Journal title:
پژوهش فیزیک ایرانجلد ۱۶، شماره ۱، صفحات ۳۵-۴۴
Hosted on Doprax cloud platform doprax.com
copyright © 2015-2023